摘要：本發明公開了一種發光二極管的外延片及其制造方法，屬于半導體技術領域。該外延片包括：襯底、以及依次層疊在襯底上的緩沖層、不摻雜的GaN層、n型層、多量子阱層和p型層，外延片還包括設于n型層與多量子阱層之間的電流擴展層，電流擴展層為超晶格結構，超晶格結構由第一子層和第二子層交替層疊而成，第一子層和第二子層由AlxGa1-xN制成，相鄰的第一子層和第二子層中的Al的組分含量不同，其中，0<x＜1。本發明通過上述技術方案，使得n型層中的電子在進入多量子阱層之前速度降低，使電子和空穴可以充分復合發光，提高了復合效率，且電流擴展層為超晶格結構，其多層結構可以有效釋放襯底與n型層之間的應力，降低外延片中的缺陷，提高了內量子效率。
- 專利類型發明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發明人萬林;魏世禎;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區濱湖路8號
- 申請號CN201310156773.4
- 申請時間2013年04月28日
- 申請公布號CN103236480B
- 申請公布時間2016年01月20日
- 分類號H01L33/14(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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