摘要:本發明公開了一種發光二極管外延片,所述外延片包括襯底、依次覆蓋在所述襯底上第一半導體層、有源層、電子阻擋層和第二半導體層,所述第一半導體層包括N型GaN層,所述第二半導體層包括P型GaN層,所述電子阻擋層為單層的P-InxAlyGa1-x-yN(0≤X<1,0<Y<1)或P-InxAlyGa1-x-yN/P-GaN(0≤X<1,0<Y<1)超晶格。本發明通過在靠近有源層時電子阻擋層中Al的成分非常小,從而降低晶格失配,避免了不必要的電子與空穴的復合現象;而在靠近P型層時,勢壘高度逐漸降低,減小了空穴注入的難度,從而改善了電子和空穴的復合效率,提升發光二極管的發光效率。
- 專利類型發明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發明人葉蕓;魏世禎;胡加輝;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區濱湖路8號
- 申請號CN201210438181.7
- 申請時間2012年11月06日
- 申請公布號CN102931306A
- 申請公布時間2013年02月13日
- 分類號H01L33/14(2010.01)I;