摘要：一種可提高內量子效率帶電子阻擋層的LED外延結構，涉及發光二極管外延技術領域。本發明從下至上依次包括圖形化襯底、GaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、有源區、電子阻擋層、P型GaN層和P型接觸層。其結構特點是，所述電子阻擋層從下至上依次包括前電子阻擋層、SiN/GaN?SLs型n?GaN層和后電子阻擋層。所述SiN/GaN?SLs型n?GaN層從下至上依次包括交替生長的SiN層和GaN層。本發明是在電子阻擋層p?AlGaN中插入SiN/GaN?SLs型n?GaN層，不但能通過空穴濃度的提高和注入效率的提升來提高內量子效率，還能通過對缺陷的阻擋來提高抗靜電能力。
- 專利類型發明專利
- 申請人南通同方半導體有限公司;同方股份有限公司;
- 發明人鄭建欽;田宇;曾頎堯;林政志;賴志豪;李鵬飛;
- 地址226015 江蘇省南通市經濟技術開發區東方大道499號
- 申請號CN201510258427.6
- 申請時間2015年05月20日
- 申請公布號CN106299059A
- 申請公布時間2017年01月04日
- 分類號H01L33/14(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I;
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