摘要：本發明公開了一種具有新型量子阱的發光二極管外延片及其制備方法，屬于發光二極管領域。所述發光二極管外延片包括：襯底，以及依次覆蓋在襯底上的u型GaN層、N型GaN層、多量子阱有源層和P型GaN載流子層，多量子阱有源層包括交替生長的M+N個量子阱層和M+N個量子壘層，量子阱層為InGaN阱層，量子壘層為GaN壘層；M+N個量子阱層中靠近N型GaN層的M個量子阱層的厚度逐漸變化，且在M+N個量子阱層中靠近N型GaN層的M個量子阱層中，靠近N型GaN層的量子阱層的厚度大于靠近P型GaN載流子層的量子阱層的厚度，M+N個量子阱層中靠近P型GaN載流子層的N個量子阱層的厚度均小于M個量子阱層的厚度，M和N均為大于1的正整數，且M與N的差值為0或1。
- 專利類型發明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發明人孫玉芹;董彬忠;王江波;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區濱湖路8號
- 申請號CN201610098456.5
- 申請時間2016年02月23日
- 申請公布號CN105609601A
- 申請公布時間2016年05月25日
- 分類號H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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