摘要：本發明公開了一種發光二極管芯片及其制造方法，屬于半導體技術領域。該方法包括：提供發光二極管芯片的外延片；在外延片上設置透明導電層、第一電極和第二電極，第二電極設于透明導電層上；在透明導電層上沉積金屬層；在金屬層上勻上光刻膠，并采用光刻技術制作光刻膠的根須母體，根須母體呈長條狀且從第二電極延伸；在設有根須母體的金屬層上沉積一層硅化物，并采用干法刻蝕去掉除根須母體側面的硅化物以外的硅化物；采用有機溶劑除去根須母體，得到硅化物根須，硅化物根須由根須母體兩側的硅化物形成；以硅化物根須為掩膜刻蝕金屬層，并在刻蝕完成后去掉硅化物根須，得到電流擴展根須。本發明通過上述方案提高了電流擴展能力。
- 專利類型發明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發明人金迎春;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區濱湖路8號
- 申請號CN201210544495.5
- 申請時間2012年12月13日
- 申請公布號CN103035796A
- 申請公布時間2013年04月10日
- 分類號H01L33/14(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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