摘要：一種高空穴注入效率的LED外延結構，涉及發光二極管外延技術領域。本發明從下至上依次包括襯底、GaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱、電子阻擋層、P型GaN層和P型接觸層。其中多量子阱由InGaN層和GaN層構成。其結構特點是，所述電子阻擋層從下至上依次由p型AlxGa1?xN層、AlN層和p型InyGa1?yN層構成，其中0<x≤0.3、0<y≤0.2。所述電子阻擋層包括8?12個生長周期，生長壓力為100?200Torr，在氮氣環境中生長。本發明采用由p型AlxGa1?xN層、AlN層和p型InyGa1?yN超晶格層構成電子阻擋層，通過應變和減小合金散射來提高空穴濃度和遷移率，提升發光二級管的發光效率。
- 專利類型發明專利
- 申請人南通同方半導體有限公司;同方股份有限公司;
- 發明人鄭建欽;田宇;吳真龍;曾頎堯;賴志豪;林政志;
- 地址226015 江蘇省南通市經濟技術開發區東方大道499號
- 申請號CN201510537614.8
- 申請時間2015年08月28日
- 申請公布號CN106486573A
- 申請公布時間2017年03月08日
- 分類號H01L33/14(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
教育裝備采購網在線客服
京公網安備11010802043465號
