摘要：本發明公開了一種發光二極管外延片及其制備方法，屬于二極管技術領域。所述外延片包括襯底層、以及依次覆蓋在襯底層上的緩沖層、非摻雜的GaN層、N型接觸層、N型擴展層、多量子阱層和P型層；N型擴展層是由若干第一子層和若干第二子層交替形成的超晶格結構；第一子層采用N型摻雜的AlxGa1-xN作為生長材料，0<x<1；第二子層采用N型摻雜的GaN作為生長材料。本發明通過增加一層N型擴展層，使電子在進入多量子阱層之前速度降低，同時防止了部分空穴直接躍遷進入N型層，從而使電子和空穴在多量子阱層充分復合發光，提高了發光二極管的發光效率。另外，N型擴展層的超晶格結構可以提升發光二極管的內量子效率。
- 專利類型發明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發明人萬林;魏世禎;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區濱湖路8號
- 申請號CN201210540920.3
- 申請時間2012年12月12日
- 申請公布號CN103035805B
- 申請公布時間2016年06月01日
- 分類號H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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