摘要：本實用新型公開了一種發光二極管芯片，屬于半導體技術領域。該芯片包括襯底以及依次層疊在襯底上的n型層、多量子阱層和p型層，p型層上設有p型焊盤，p型層上設有盲孔，盲孔從p型層延伸至n型層，盲孔的一端設有n型焊盤且n型焊盤位于p型層上，盲孔內設有將n型焊盤與n型層電連接的導電結構，n型焊盤與p型層之間、導電結構與p型層之間以及導電結構與多量子阱層之間設有絕緣層。本實用新型通過上述技術方案，從而減小了制作n型焊盤時需要刻蝕掉的發光面積，相較于傳統的發光二極管芯片，本實用新型的發光二極管芯片相應地增大了發光面積，從而提高了發光二極管芯片的亮度和發光效率。
- 專利類型實用新型
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發明人皮智華;張建寶;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區濱湖路8號
- 申請號CN201220476129.6
- 申請時間2012年09月17日
- 申請公布號CN202839727U
- 申請公布時間2013年03月27日
- 分類號H01L33/38(2010.01)I;
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