摘要：本發明公開了一種GaN基發光二極管外延片及其制作方法，屬于半導體技術領域。外延片包括襯底、以及在襯底上依次生長的GaN成核層、不摻雜的GaN層、n型層、多量子阱層以及p型層，多量子阱層為多周期結構，每個周期包括InGaN層和GaN層，多周期結構之與n型層接觸的周期為第一周期，第一周期的GaN層δ摻雜有Si，且第一周期的GaN層的Si摻雜在遠離第一相鄰層的位置，第一相鄰層為與第一周期的GaN層接觸的InGaN層。本發明通過上述方案，可以降低多量子阱層中的位錯，屏蔽極化電場的影響，提高晶體質量，Si不會擴散到InGaN層中，可避免在多量子阱層中形成點缺陷，使得電子和空穴的復合效率高，發光效率高。
- 專利類型發明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發明人吳克敏;魏世禎;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區濱湖路8號
- 申請號CN201310329712.3
- 申請時間2013年07月31日
- 申請公布號CN103441197B
- 申請公布時間2016年02月03日
- 分類號H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
教育裝備采購網在線客服
京公網安備11010802043465號
