摘要：本實用新型涉及一種改善電流傳輸堵塞的LED芯片結構，其包括襯底及位于襯底上方的P電極與N電極；N電極與襯底上方的N型氮化鎵層電連接；所述N型氮化鎵層內設有改善傳輸槽，所述改善傳輸槽在N型氮化鎵層內從N型氮化鎵層表面向襯底方向延伸，所述N電極填充于改善傳輸槽內，并覆蓋于N型氮化鎵層對應的表面。本實用新型通過位于改善傳輸槽內的N電極能分擔相應的電勢線，避免電勢線聚集在N電極與N型氮化鎵層的結合部，能擴大電勢線的接觸面積，避免電勢線過渡聚集時產生電流堵塞，降低電流堵塞產生的發熱現象，同時，能夠提高LED芯片的出光效率；結構簡單緊湊，與現有加工工藝相兼容，延長了LED芯片使用壽命，安全可靠。
- 專利類型實用新型
- 申請人江蘇新廣聯科技股份有限公司;
- 發明人鄧群雄;郭文平;柯志杰;黃慧詩;
- 地址214111 江蘇省無錫市錫山經濟開發區團結北路18號
- 申請號CN201120479097.0
- 申請時間2011年11月28日
- 申請公布號CN202405304U
- 申請公布時間2012年08月29日
- 分類號H01L33/14(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;
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