摘要：本發明公開了一種高亮度發光二極管外延片及其制備方法，屬于發光二極管領域。該高亮度發光二極管外延片包括：襯底，以及依次覆蓋在襯底上的u型GaN層、N型GaN層、多量子阱有源層和P型GaN層，所述N型GaN層包括依次覆蓋在所述u型GaN層上的第一N型GaN子層、第二N型GaN子層和第三N型GaN子層，本發明中第二N型GaN子層采用多個生長周期生長而成，且每個生長周期中，先生長一定厚度的GaN，然后再向GaN中通入Si源進行摻雜，這種方式生長出的第二N型GaN子層的載流子濃度較高，因而橫向電阻較小，另外發光二極管外延片的臺階面位于第二N型GaN子層上，所以電流由N電極傳輸下來時橫向擴展較為容易，大大提高發光二極管的亮度。
- 專利類型發明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發明人孫玉芹;王江波;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區濱湖路8號
- 申請號CN201610123884.9
- 申請時間2016年03月04日
- 申請公布號CN105679907A
- 申請公布時間2016年06月15日
- 分類號H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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