摘要：本發明公開一種漸變電子阻擋層的紫外光氮化鎵半導體發光二極管，通過能帶工程設計與優化，在其外延結構中引入六種不同方式變化的類超晶格鋁鎵氮電子阻擋層來實現鋁組分的變化，從而調節電子阻擋層中的極化效應，實現高的空穴注入，以解決紫外光半導體發光二極管中P型摻雜效率低空穴濃度不足的問題。
- 專利類型發明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發明人李文兵;王江波;董彬忠;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區濱湖路8號
- 申請號CN201210122392.X
- 申請時間2012年04月25日
- 申請公布號CN102623599B
- 申請公布時間2014年05月07日
- 分類號H01L33/14(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;
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