摘要：本實用新型公開了一種高壓發光二極管芯片，屬于半導體照明技術領域。該芯片包括：襯底層、依次層疊在襯底層上的第一半導體層、發光層、第二半導體層和透明導電層，芯片上設有凹槽，凹槽從透明導電層延伸至第一半導體層，凹槽內設有用于將芯片分割成多個子芯片的隔離槽，隔離槽從第一半導體層延伸至襯底層，芯片上還設有第一電極、第二電極和電氣連接結構，第一電極設于透明導電層上，第二電極設于凹槽的第一半導體層上，電氣連接結構將一個子芯片的透明導電層與另一個子芯片的第一半導體層連接，凹槽的側壁與第一半導體層的頂面之間的銳角為15～45度，隔離槽的側壁與襯底層的頂面之間的銳角為40～60度。本實用新型通過上述方案增強了芯片可靠性。
- 專利類型實用新型
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發明人程素芬;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區濱湖路8號
- 申請號CN201220399415.7
- 申請時間2012年08月13日
- 申請公布號CN202736964U
- 申請公布時間2013年02月13日
- 分類號H01L33/20(2010.01)I;H01L25/075(2006.01)I;
教育裝備采購網在線客服
京公網安備11010802043465號
