摘要：具有高空穴濃度的P-GaN藍光LED外延結構，涉及發光二極管外延技術領域。本實用新型從下至上依次包括藍寶石襯底、AlN緩沖層、U型GaN層、N型GaN層、有源區、電子阻擋層和P型GaN層。其結構特點是，所述P型GaN層從下至上依次包括交替生長的AlxGa1-xN層和MgN-In層，位于最頂層的MgN-In層上方置有P-AlGaN層。同現有技術相比，本實用新型具有較高的勢壘高度，使載流子更容易躍遷到有源區，能夠有效提高空穴濃度和遷移率，改善晶體質量，從而提高LED的亮度。
- 專利類型實用新型
- 申請人南通同方半導體有限公司;同方股份有限公司;
- 發明人田宇;余登永;鄭建欽;曾欣堯;童敬文;吳東海;李鵬飛;
- 地址100083 北京市海淀區清華同方科技廣場A座29層
- 申請號CN201420339620.3
- 申請時間2014年06月25日
- 申請公布號CN204045617U
- 申請公布時間2014年12月24日
- 分類號H01L33/14(2010.01)I;
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