摘要：本發明提出一種GaN基孔狀光子晶體LED的制備方法，包括：生長GaN基LED外延片，并在外延片上勻底膠；利用孔狀硬模板進行納米壓印，脫模后在外延片底膠表面上形成一層柱狀陣列圖案；在柱狀陣列圖案上勻第二層膠，其中該第二層膠為硅摻雜膠；依次進行硅刻蝕直至柱狀陣列圖案的柱子表面暴露，對底膠進行刻蝕直到GaN外延片暴露，以硅摻雜膠為掩?？涛g外延片，經上述三步刻蝕得到表面具有孔狀光子晶體結構，后續處理后即可得所述孔狀表面光子晶體LED。本發明還公開了利用上述方法制備得到的GaN基孔狀光子晶體LED。本發明利用納米壓印技術和孔狀硬質模板，借助第二層硅摻雜膠的特殊性和對刻蝕氣體的選擇性，僅一步壓印后刻蝕即可實現孔模板到孔狀光子晶體的轉移。
- 專利類型發明專利
- 申請人華中科技大學;
- 發明人張錚;徐智謀;孫堂友;何健;張學明;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號
- 申請號CN201310054509.X
- 申請時間2013年02月20日
- 申請公布號CN103151436B
- 申請公布時間2015年12月09日
- 分類號H01L33/20(2010.01)I;
教育裝備采購網在線客服
京公網安備11010802043465號
