摘要：一種能提高光取出效率的發光二極管，涉及光電技術領域。本實用新型包括襯底以及襯底上方依次由N型半導體層、發光層、P型半導體層和透明導電層組成的發光結構。N型半導體層上的一端設置有N型電極，透明導電層上、與N型電極相對的另一端置有P型電極。襯底和N型半導體層的接觸面上留有脈沖激光切割形成的燒結面。其結構特點是，所述燒結面的切割線為間斷式切割線。本實用新型有效減小了激光切割產生的側壁燒結面清、降低了清潔，能提高側壁光取出效率。
- 專利類型實用新型
- 申請人南通同方半導體有限公司;同方股份有限公司;
- 發明人莊曜瑋;
- 地址100083 北京市海淀區清華同方科技廣場A座29層
- 申請號CN201320103313.0
- 申請時間2013年03月07日
- 申請公布號CN203134851U
- 申請公布時間2013年08月14日
- 分類號H01L33/20(2010.01)I;
教育裝備采購網在線客服
京公網安備11010802043465號
