摘要：一種氮化鎵發光二極管結構，涉及光電技術領域。本實用新型包括襯底和依次置于襯底之上的緩沖層、非故意摻雜氮化鎵層、N型摻雜氮化鎵層、有源發光層和P型摻雜氮化鎵層。N型電極置于N型摻雜氮化鎵層上表面，P型電極置于P型摻雜氮化鎵層上表面。其結構特點是，所述非故意摻雜氮化鎵層的上表面形成一圖形化結構的結構層。同現有技術相比，本實用新型能有效降低氮化物外延層中的位錯密度，提高氮化物發光二極管器件的發光效率，具有成本低廉的特點。
- 專利類型實用新型
- 申請人南通同方半導體有限公司;同方股份有限公司;
- 發明人吳東海;李志翔;劉剛;
- 地址100083 北京市海淀區清華同方科技廣場A座29層
- 申請號CN201220418921.6
- 申請時間2012年08月23日
- 申請公布號CN202797053U
- 申請公布時間2013年03月13日
- 分類號H01L33/20(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;
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