摘要：本發明公開了一種發光二極管芯片及其制造方法，屬于半導體技術領域。該芯片包括：襯底、依次層疊在襯底上的緩沖層、不摻雜的GaN層、n型層、量子阱發光層、p型層，不摻雜的GaN層的與n型層接觸的表面上設有若干個孔洞，每個孔洞中沉積有熒光粉，且每個孔洞中的熒光粉的厚度小于孔洞的深度。本發明通過在不摻雜的GaN層上設置若干個孔洞，n型層位于不摻雜的GaN層上，減小了GaN層與n型層的晶格不匹配的差異，降低了n型層中的缺陷密度，有利于外延層中應力的釋放和減少了缺陷對量子阱有源區的影響，提高了發光二極管的內量子效率和亮度；且孔洞中設有熒光粉，增加了發光二極管的外量子效率，提高了發光二極管亮度。
- 專利類型發明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發明人張建寶;劉權;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區濱湖路8號
- 申請號CN201310040746.0
- 申請時間2013年02月01日
- 申請公布號CN103117346A
- 申請公布時間2013年05月22日
- 分類號H01L33/20(2010.01)I;H01L33/08(2010.01)I;
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