摘要：本發明公開了一種AlN緩沖層及具有該緩沖層的芯片的制備方法，屬于發光二極管領域。所述方法包括：在襯底上，制備有機微球模板，有機微球模板包括納米微球模板；在有機微球模板上，沉積AlN緩沖層；將AlN緩沖層進行高溫退火處理，去除有機球模板中的有機微球，形成具有多孔結構的AlN緩沖層。本發明通過有機微球模板在AlN緩沖層中引入多孔結構，既可以減少外延缺陷，提高外延質量，又增加與襯底之間巨大的折射率反差來提高光在襯底界面處的反射能力，增強出光效率，并且將微球模板與物理氣相沉積結合，以制備具有多孔結構的AlN緩沖層，方法簡單易行，便于大規模生產。
- 專利類型發明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發明人吳志浩;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區濱湖路8號
- 申請號CN201510051801.5
- 申請時間2015年01月31日
- 申請公布號CN104701137A
- 申請公布時間2015年06月10日
- 分類號H01L21/02(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;
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