摘要：本發明所揭露的是用于經由液相方法于低溫(<400℃)制造金屬氧化物薄膜以及衍生自納米材料的金屬復合物薄膜的新方法。本發明薄膜可使用為薄膜半導體、薄膜介電質或薄膜導體，且可實施于半導體裝置，如：薄膜晶體管以及薄膜光電伏打裝置。
- 專利類型PCT發明
- 申請人西北大學;破立紀元有限公司;
- 發明人A·菲奇提;T·J·馬克斯;M·G·卡納齊迪斯;金明吉;W·C·希茨;顏河;夏禹;
- 地址美國伊利諾伊州
- 申請號CN201280006718.0
- 申請時間2012年01月27日
- 申請公布號CN103828018A
- 申請公布時間2014年05月28日
- 分類號H01L21/02(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/44(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;C23C18/12(2006.01)I;
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