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          一種GaN基外延片襯底的回收方法

            摘要:本發明公開了一種GaN基外延片襯底的回收方法,屬于半導體技術領域。所述方法包括:將GaN基外延片放入真空的反應腔內;向所述反應腔內通入還原氣體和催化氣體,以使所述GaN基外延片的GaN在真空下發生還原反應。本發明通過將GaN基外延片放入真空的反應腔內,向反應腔內通入還原氣體和催化氣體,以使GaN基外延片的GaN發生還原反應,將GaN基外延片的GaN還原成單質鎵和氨氣,從而與襯底分離。該方法在高溫環境下對襯底材料無物理和化學性損傷,保持了襯底的完整性,且該方法原理簡單,過程可控,可以使GaN的分解速率較高,從而提高了襯底回收的速度。
          • 專利類型發明專利
          • 申請人華燦光電股份有限公司;
          • 發明人皮智華;劉榕;張建寶;
          • 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區濱湖路8號
          • 申請號CN201310021876.X
          • 申請時間2013年01月21日
          • 申請公布號CN103137439A
          • 申請公布時間2013年06月05日
          • 分類號H01L21/02(2006.01)I;
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