摘要：本發明公開了一種GaN基外延片襯底的回收方法，屬于半導體技術領域。所述方法包括：將GaN基外延片放入真空的反應腔內；向所述反應腔內通入還原氣體和催化氣體，以使所述GaN基外延片的GaN在真空下發生還原反應。本發明通過將GaN基外延片放入真空的反應腔內，向反應腔內通入還原氣體和催化氣體，以使GaN基外延片的GaN發生還原反應，將GaN基外延片的GaN還原成單質鎵和氨氣，從而與襯底分離。該方法在高溫環境下對襯底材料無物理和化學性損傷，保持了襯底的完整性，且該方法原理簡單，過程可控，可以使GaN的分解速率較高，從而提高了襯底回收的速度。
- 專利類型發明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發明人皮智華;劉榕;張建寶;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區濱湖路8號
- 申請號CN201310021876.X
- 申請時間2013年01月21日
- 申請公布號CN103137439A
- 申請公布時間2013年06月05日
- 分類號H01L21/02(2006.01)I;
教育裝備采購網在線客服
京公網安備11010802043465號
