摘要：本發明提供了一種用電子束作用在硅材料上制備納米硅結構的方法及裝置。本發明在非晶硅薄膜上用電子束輻照進行晶化，以生長納米硅結構，這樣的方式具有納米硅生長速度快、納米形貌尺寸可控與尺度分布范圍較窄等優點?？捎糜谥苽浒l光量子點材料，發光效果很好。本發明方法簡單，易于實施，成本低廉，使用效果好。
- 專利類型發明專利
- 申請人貴州大學;
- 發明人黃偉其;
- 地址550025 貴州省貴陽市花溪區貴州大學北校區科學技術處
- 申請號CN201610484538.3
- 申請時間2016年06月28日
- 申請公布號CN106098534A
- 申請公布時間2016年11月09日
- 分類號H01L21/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;
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