摘要：本發明公開了一種半導體工藝中控制晶圓冷卻的方法，針對氧化、低壓化學氣相沉積或低溫退火的不同工藝，根據降舟前溫度的高低，調整晶舟的降舟速度；同時，根據不同工藝對氧含量要求的不同，調節冷卻風速，將氮氣流量控制在高低不同的范圍，在降舟過程及承載區域對晶圓進行充分冷卻后取片。本發明通過對晶圓預冷溫度、降舟速度、氮氣流量、冷卻風速等冷卻控制參數進行優化組合使用，在控制氧含量達標的同時，實現對工藝降舟階段晶圓冷卻的有效控制，可快速有效地降低晶圓的溫度，控制及縮短冷卻時間，從而增加晶圓產能，并明顯節約作為冷卻介質的氮氣資源。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京七星華創電子股份有限公司;
- 發明人林偉華;王兵;蘭天;宋辰龍;
- 地址100016 北京市朝陽區酒仙橋東路1號
- 申請號CN201410043195.8
- 申請時間2014年01月29日
- 申請公布號CN103745920A
- 申請公布時間2014年04月23日
- 分類號H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;
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