摘要：本實用新型公開了一種提高晶片腐蝕均勻性的裝置，包括第一噴淋臂以及第一噴淋裝置,第一噴淋裝置安裝在可帶動其旋轉和/或升降的第一噴淋臂上，第一噴淋裝置的長度與晶片的半徑或直徑一致，其噴出的化學藥液可瞬間同時覆蓋晶片的表面。本實用新型通過設置第一噴淋裝置，在噴射化學藥液時，伴隨晶片高速旋轉的狀態，可在晶片表面瞬時均勻覆蓋化學藥液，使得晶片表面各處同時與化學藥液產生反應，解決了現有技術中化學藥液在起噴點處腐蝕速率高于晶片其他各處的問題，提高了晶片的腐蝕的均勻性；進一步的，在晶片腐蝕過程中，還可通過調整第二噴淋裝置的擺動速率，精確控制晶片腐蝕速率，進一步提高晶片的腐蝕均勻性。
- 專利類型實用新型
- 申請人北京七星華創電子股份有限公司;
- 發明人劉偉;許璐;
- 地址100016 北京市朝陽區酒仙橋東路1號
- 申請號CN201620139351.5
- 申請時間2016年02月24日
- 申請公布號CN205428885U
- 申請公布時間2016年08月03日
- 分類號H01L21/673(2006.01)I;
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