摘要：一種氮化鎵基發光二極管及其制作方法，涉及光電技術領域。本發明氮化鎵基發光二極管包括襯底以及置于襯底上方依次由N型GaN層、發光層、P型GaN層和透明導電層組成的發光結構。在透明導電層上置有P型電極。其結構特點是，所述襯底底部開設孔直至N型GaN層，在所述孔內設有N型電極置于N型GaN層下底面。同現有技術相比，本發明通過在襯底底部開孔安置N型電極，減少發光區刻蝕損傷，增加發光區面積來提升光效。
- 專利類型發明專利
- 申請人南通同方半導體有限公司;同方股份有限公司;
- 發明人董發;李志翔;吳東海;詹潤滋;
- 地址100083 北京市海淀區清華同方科技廣場A座29層
- 申請號CN201410064890.2
- 申請時間2014年02月26日
- 申請公布號CN104868029A
- 申請公布時間2015年08月26日
- 分類號H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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