摘要：本實用新型涉及一種免封裝型UVLED芯片，包括襯底，在襯底的正面依次設置N-GaN層、發光層、P-GaN層和反射層；其特征是：在所述反射層、P-GaN層和發光層中設置通孔，通孔由反射層延伸至發光層的底部，通孔與N-GaN層連通；在所述通孔中和反射層的表面設置N共晶電極，在反射層表面設置P共晶電極。所述N共晶電極與P共晶電極的上表面平齊。本實用新型所述免封裝型UVLED芯片熱阻小、散熱好，可以采用免封裝技術，減少共晶封裝的內應力。
- 專利類型實用新型
- 申請人江蘇新廣聯科技股份有限公司;
- 發明人黃慧詩;郭文平;柯志杰;鄧群雄;
- 地址214192 江蘇省無錫市錫山區錫山經濟開發區團結北路18號
- 申請號CN201420070231.5
- 申請時間2014年02月18日
- 申請公布號CN203826419U
- 申請公布時間2014年09月10日
- 分類號H01L33/38(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I;
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