摘要：本發明公開了一種發光二極管芯片及其制造方法，屬于發光二極管領域。所述發光二極管芯片包括：襯底以及依次層疊在襯底上的N型層、多量子阱層和P型層，發光二極管芯片還包括從P型層刻蝕到N型層的凹槽、設于凹槽內的N型層上的N型焊盤、設于P型層上的電流擴展層和P型焊盤，P型焊盤嵌設在電流擴展層中，P型焊盤和N型焊盤均包括依次層疊的底層、中間層和頂層，發光二極管芯片還包括：設于P型層上的第一環狀保護層和設于凹槽內的N型層上的第二環狀保護層，P型焊盤的底層包括設于P型層上且位于第一環狀保護層環內的第一底層、設于P型層上且位于第一環狀保護層環外的第二底層和覆蓋在第一環狀保護層上的第三底層。
- 專利類型發明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發明人張建寶;吳繼清;胡瑤;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區濱湖路8號
- 申請號CN201410668447.6
- 申請時間2014年11月20日
- 申請公布號CN104409599A
- 申請公布時間2015年03月11日
- 分類號H01L33/38(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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