摘要：本實用新型公開了一種用于制造半導體器件的氧化裝置，包括：工藝管、爐門、密封裝置，爐門位于工藝管底部，并在與工藝管接觸部位形成溝槽，密封裝置位于溝槽里，密封裝置包括O型密封圈及密封圈壓片，密封圈壓片與工藝管接觸，O型密封圈與爐門接觸。本實用新型公開的一種用于制造半導體器件的氧化裝置在用于制造半導體器件的氧化裝置處于工作狀態時，不會發生O型密封圈的融化粘接現象，使得設備的工藝管和爐門在O型密封圈和密封圈壓片的作用下實現了工藝管內與外界嚴格密封。同時避免頻繁更換O型密封圈帶來的維護成本的提高。
- 專利類型實用新型
- 申請人北京七星華創電子股份有限公司;
- 發明人趙燕平;王麗榮;董金衛;孫少東;
- 地址100016 北京市朝陽區酒仙橋東路1號M2號樓2層
- 申請號CN201020523711.4
- 申請時間2010年09月08日
- 申請公布號CN201796870U
- 申請公布時間2011年04月13日
- 分類號H01L21/02(2006.01)I;
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