摘要：本發明公開了一種GaN基發光二極管外延片及其制備方法，屬于發光二極管領域。該GaN基發光二極管外延片包括：襯底，以及依次覆蓋在襯底上的u型GaN層、N型GaN層、多量子阱有源層、P型AlGaN層和P型GaN載流子層，多量子阱有源層包括交替生長的多個InGaN阱層和多個GaN壘層，多個GaN壘層中的最靠近P型AlGaN層的GaN壘層包括u型GaN壘和P型GaN壘，P型AlGaN層覆蓋在P型GaN壘上。上述外延片使得注入多量子阱有源層中的空穴增多，在大電流密度下，注入多量子阱有源層中的電子變多，所以大大提高了電子和空穴在多量子阱有源層中的復合效率，同時使得越過多量子阱有源層逃逸到P型GaN載流子層的電子數量明顯減少，電子溢漏的程度減小，進一步提高了大電流密度下LED的發光效率。
- 專利類型發明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發明人孫玉芹;董彬忠;付杰;王江波;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區濱湖路8號
- 申請號CN201510599590.9
- 申請時間2015年09月18日
- 申請公布號CN105206717A
- 申請公布時間2015年12月30日
- 分類號H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;
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