摘要：本發明涉及一種基于AlN陶瓷襯底的GaN外延片結構及制備方法，屬于外延片的技術領域。按照本發明提供的技術方案，所述基于AlN陶瓷襯底的GaN外延片結構，包括AlN陶瓷襯底及生長于AlN陶瓷襯底上的緩沖層，所述緩沖層上生長有GaNLED結構層。本發明采用AlN陶瓷襯底，并在AlN陶瓷襯底上設置緩沖層，通過生長緩沖層后在AlN陶瓷襯底上通過MOCVD常規工藝制備得到GaNLED結構層，工藝步驟簡單方便，能大大提高GaNLED晶體質量，同時可以在GaNLED結構層內設置DBR層及粗化層，以提高通過GaNLED結構層得到LED工作時的出光效率，通過AlN陶瓷襯底能提高導熱性能，結構簡單緊湊，工藝簡單，機械性能優良，耐腐蝕，延長通過外延片制備LED器件的使用壽命，穩定可靠。
- 專利類型發明專利
- 申請人江蘇新廣聯科技股份有限公司;
- 發明人郭文平;王東盛;鐘玉煌;
- 地址214111 江蘇省無錫市錫山區錫山經濟開發區團結北路18號
- 申請號CN201210136796.4
- 申請時間2012年05月04日
- 申請公布號CN102637791B
- 申請公布時間2014年12月10日
- 分類號H01L33/00(2010.01)I;
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