摘要：本發明公開一種提高ESD的復合n-GaN層結構的制備方法，該材料依次由藍寶石襯底層，低溫生長的GaN緩沖層，高溫生長的不摻雜的u-GaN層，高溫生長的n-GaN層，InxGa1-xN/GaN多量子阱層，p-AlyGa1-yN電子阻擋層，p-GaN層和p-GaN接觸層組成。在高溫生長的n-GaN中間插入一層n-AlzGa1-zN層，形成復合結構，重摻雜的n+-GaN能有效的降低Vf，n-AlzGa1-zN的插入能有效的減少量子阱區的線性位錯和V型位錯，提高晶體質量，提高發光二極管的抗靜電能力，低摻雜的n-GaN作為電流分散層，能有效的提高器件的壽命。
- 專利類型發明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發明人王明軍;魏世禎;胡加輝;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區濱湖路8號
- 申請號CN201110330664.0
- 申請時間2011年10月27日
- 申請公布號CN102412351A
- 申請公布時間2012年04月11日
- 分類號H01L33/00(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;
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