摘要：本發明公開一種應用于CVD成膜工藝的膜厚與氣體流量的建模方法，包括在基礎工藝條件下獲取測試硅片的基準膜厚；進行多組膜厚調節實驗獲得不同實驗條件下測試硅片的膜厚，其中每組實驗的實驗條件為僅改變基礎工藝條件的工藝氣體流量；以及根據得到的多個測試硅片的膜厚相對于基準膜厚的多個膜厚變化值，以及多個測試硅片的膜厚所對應的氣體流量相對于基礎工藝條件的氣體流量的多個流量變化值，計算得到線性的膜厚流量變化關系模型。本發明還提供了一種膜厚在線優化方法，根據膜厚流量變化關系模型、針對該關系模型設定的限制條件以及目標膜厚與基準膜厚的差值，計算氣體流量的最優變化量。本發明可提高調試效率。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京七星華創電子股份有限公司;
- 發明人王艾;徐冬;
- 地址100016 北京市朝陽區酒仙橋東路1號
- 申請號CN201410730097.1
- 申請時間2014年12月04日
- 申請公布號CN104451608A
- 申請公布時間2015年03月25日
- 分類號C23C16/52(2006.01)I;
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