摘要：本發明公開了一種應用于CVD成膜工藝的膜厚與氣體流量的建模方法，包括在基礎工藝條件下獲取測試硅片的基準膜厚；進行多組可信的實驗獲得不同實驗條件下測試硅片的膜厚，其中每組實驗的實驗條件為僅改變基礎工藝條件的工藝氣體流量；以及根據多組可信的實驗所得到的多個測試硅片的膜厚相對于基準膜厚的多個膜厚變化值，以及多個測試硅片的膜厚所對應的氣體流量相對于基礎工藝條件的氣體流量的多個流量變化值計算得到膜厚流量變化關系模型。本發明還提供了一種膜厚調節方法，根據膜厚流量變化關系模型調節工藝氣體的流量以實現目標膜厚，縮短了機臺的調試時間，提高了調試效率。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京七星華創電子股份有限公司;
- 發明人王艾;徐冬;
- 地址100016 北京市朝陽區酒仙橋東路1號
- 申請號CN201410174251.1
- 申請時間2014年04月28日
- 申請公布號CN103924223A
- 申請公布時間2014年07月16日
- 分類號C23C16/52(2006.01)I;
教育裝備采購網在線客服
京公網安備11010802043465號
