摘要：本發明公開一種應用于CVD成膜工藝的膜厚調節優化方法，包括進行基準實驗以獲取基準膜厚；僅改變基準實驗的工藝氣體流量進行多組測試實驗以獲取測試硅片的膜厚；以相對于基準實驗氣體流量的流量變化值以及該流量變化值造成的相對于基準膜厚的膜厚變化值為變量建立目標函數，并確定該目標函數的約束條件為膜厚變化值與流量變化值呈線性關系；根據多組測試實驗結果及約束條件計算目標函數的值最小時的最優流量變化值；以最優流量變化值調節基準流量作為最優氣體流量并獲取測試硅片的最優膜厚；以及判斷最優膜厚與目標膜厚的膜厚差值大于預定值時以最優氣體流量作為基準實驗的工藝氣體流量，并重復上述步驟。本發明可提高膜厚調節效率。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京七星華創電子股份有限公司;
- 發明人林偉華;翟立君;王艾;
- 地址100016 北京市朝陽區酒仙橋東路1號
- 申請號CN201410730080.6
- 申請時間2014年12月04日
- 申請公布號CN104404479A
- 申請公布時間2015年03月11日
- 分類號C23C16/52(2006.01)I;
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