摘要：本發明提供一種SiC襯底GaN基紫外LED外延片、SiC襯底GaN基紫外LED器件及制備方法，SiC襯底GaN基紫外LED外延片包括自下而上設置的n型SiC襯底、緩沖層、導電的布拉格反射鏡層(DBR)、n-AlxGa1-xN層、紫外發光多量子阱層和p-GaN層，所述X選自0-1，n型SiC襯底厚度小于等于100微米。本發明還公開了一種采用所述SiC襯底GaN基紫外LED外延片制備而成的器件。本發明所述外延片和器件利用導電的布拉格反射鏡層將量子阱向襯底方向發射的光反射回表面方向，同時利用其導電特性，在解決SiC材料對紫外光吸收同時，也實現了外延片和器件的垂直電流輸運、高光提取效率及高散熱能力。
- 專利類型發明專利
- 申請人江蘇新廣聯科技股份有限公司;大連理工大學;
- 發明人蔣建華;梁紅偉;夏曉川;黃慧詩;閆曉密;
- 地址214000 江蘇省無錫市錫山經濟開發區團結北路18號
- 申請號CN201510274602.0
- 申請時間2015年05月26日
- 申請公布號CN104979446A
- 申請公布時間2015年10月14日
- 分類號H01L33/32(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;
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