摘要：本發明公開了一種采用外延技術在硅襯底上生長具有大拉伸應變Ge的方法，在Si襯底上外延生長Ge薄膜作為基底，繼而生長成分漸變式InxGa1?xAs緩沖層，以增加頂層結構的晶格常數，接著在此結構上生長高質量Ge膜，得到具有大拉伸應變的Ge薄膜。本發明在硅襯底上生長Ge緩沖層和InxGa1?xAs緩沖層使得緩沖層頂層結構的晶格常數略大于Ge薄膜層的晶格常數，從而在硅襯底上制備得到具有拉伸應變的硅基鍺薄膜，該硅基鍺薄膜的拉伸應變可以達到2.0%，能夠使Ge薄膜應變層轉變為直接帶隙半導體材料，大大增強其自發輻射效率，有利于光電子的應用，且基于硅襯底，可充分利用發展已很成熟的硅集成工藝，工藝簡單、進一步降低制作成本。
- 專利類型發明專利
- 申請人浙江大學;
- 發明人葉輝;夏亮;張詩雨;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖區浙大路38號
- 申請號CN201410026810.4
- 申請時間2014年01月21日
- 申請公布號CN103794694B
- 申請公布時間2017年01月11日
- 分類號H01L33/32(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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