摘要：在GaAs襯底上生長的藍光LED外延結構，涉及發光二極管技術領域。本實用新型結構從下至上依次包括襯底、緩沖層、U型GaN層、N型GaN層、有源區、電子阻擋層和P型GaN層。其結構特點是，所述襯底為GaAs襯底，所述緩沖層包括ZnO緩沖層和生長在ZnO緩沖層上的金屬氮化物緩沖層，所述U型GaN層從下至上依次包括U1型GaN層、布拉格反射層和U2型GaN層。同現有技術相比，本實用新型采用GaAs襯底，具有品質高、易解離且成本相對比較低的特點，而且易做垂直結構、易于p型摻雜，可提高出光效率。
- 專利類型實用新型
- 申請人南通同方半導體有限公司;同方股份有限公司;
- 發明人田宇;鄭建欽;吳真龍;曾頎堯;李鵬飛;
- 地址100083 北京市海淀區清華同方科技廣場A座29層
- 申請號CN201520546828.7
- 申請時間2015年07月27日
- 申請公布號CN204809249U
- 申請公布時間2015年11月25日
- 分類號H01L33/32(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;
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