摘要:本發明公開了一種具有高發光效率的外延片生長方法,屬于發光二極管領域。該方法包括:提供一襯底;在所述襯底上依次生長u型GaN層和N型GaN層;在所述N型GaN層上生長多量子阱有源層;在所述多量子阱有源層上生長P型AlGaN層;在所述P型AlGaN層上生長P型GaN載流子層;其中,所述在所述多量子阱有源層上生長P型AlGaN層,包括:在反應腔內溫度為950℃,反應腔內壓強為100torr的環境下,間歇式生長AlGaN層,并在所述AlGaN層生長間隙通入CP2Mg源。本發明提供的方法使得注入多量子阱有源層中的空穴明顯增加,可以大大提高了電子和空穴在多量子阱有源層中的復合效率,由于復合效率的提高,使電子溢漏的程度減小,提高了大電流密度下GaN基LED的發光效率。
- 專利類型發明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發明人孫玉芹;王江波;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發區濱湖路8號
- 申請號CN201510599117.0
- 申請時間2015年09月18日
- 申請公布號CN105280768A
- 申請公布時間2016年01月27日
- 分類號H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L21/02(2006.01)I;