摘要：本發明涉及一種具有高亮度高發光效率的外延生長結構，所述具有高亮度高發光效率的外延生長結構，包括襯底及生長于所述襯底上的半導體發光結構，所述半導體發光結構包括生長于襯底上的緩沖層，所述緩沖層上生長有N型化合物半導體材料層，所述N型化合物半導體材料層上生長有有源層；所述有源層上生長有電子溢出阻擋層，所述電子溢出阻擋層上生長P型化合物半導體材料層。本發明通過電子溢出阻擋層與P型化合物半導體材料層共同阻擋電子的溢出，增加有源區的復合電子數量，從而有效地提高制備得到發光器件的發光效率，提高LED芯片的發光亮度及發光效率，與現有工藝兼容，工藝方便，結構緊湊，安全可靠。
- 專利類型發明專利
- 申請人江蘇新廣聯科技股份有限公司;
- 發明人鐘玉煌;郭文平;
- 地址214111 江蘇省無錫市錫山區錫山經濟開發區團結北路18號
- 申請號CN201210505746.9
- 申請時間2012年12月01日
- 申請公布號CN102983237A
- 申請公布時間2013年03月20日
- 分類號H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;
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