摘要：本發明公開了一種消除氧熱施主對少子擴散長度影響的方法，通過將晶舟的出舟溫度提高到氧熱施主的生成溫度以上，并通過快速冷卻使硅片在出舟過程中快速通過氧熱施主產生的溫度區間，避免了氧熱施主的產生，從而提高了高溫退火后單晶硅片表面光電壓法體鐵測試結果的可信度。本發明的方法無須改變硬件條件，可行性強，重復性高。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京七星華創電子股份有限公司;
- 發明人周文飛;劉耀琴;王建勛;
- 地址100016 北京市朝陽區酒仙橋東路1號
- 申請號CN201510863269.7
- 申請時間2015年12月01日
- 申請公布號CN105470129A
- 申請公布時間2016年04月06日
- 分類號H01L21/324(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;
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