摘要：本發明公開了<311>直拉硅片的一種熱處理方法。所述熱處理方法包括以下步驟：(1)在氧氣氣氛下，將直拉硅片在1200～1250℃下熱處理5～10分鐘；(2)在保護性氣體氣氛下，將經步驟(1)處理的直拉硅片以50～60℃/秒的升溫速度加熱到1200～1250℃并保持60秒，然后以50～80℃/秒的冷卻速度冷卻到600℃，再自然冷卻；(3)在保護性氣體氣氛下，將經步驟(2)處理的直拉硅片在800℃下熱處理4小時；(4)在保護性氣體氣氛下，將經步驟(3)處理的直拉硅片在1000℃下熱處理8小時。本發明方法能有效消除COP，降低<311>硅片近表面的缺陷數，降低表面平均微粗糙度。
- 專利類型發明專利
- 申請人浙江大學;
- 發明人馬向陽;蔣立偉;楊德仁;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖區浙大路38號
- 申請號CN201610304862.2
- 申請時間2016年05月09日
- 申請公布號CN105977152A
- 申請公布時間2016年09月28日
- 分類號H01L21/324(2006.01)I;
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