摘要：本發明涉及半導體處理裝置，公開了一熱處理裝置，包括加熱層及夾層，夾層環繞待加熱樣品以形成加熱腔，加熱層設置在加熱腔內，用于加熱待加熱樣品，夾層內部中空，以允許外界氣體進入所述夾層。本發明通過在熱處理裝置中設置一內部中空的夾層，并控制夾層內部氣體壓力，當熱處理裝置升溫并至保溫階段，控制夾層內部氣體壓力為負壓，減小熱傳遞及熱對流帶來的熱損失，使熱處理裝置內部溫度快速到達工藝溫度，到達工藝溫度進行保溫時，能降低維持工藝溫度的能耗；當熱處理裝置降溫時，控制夾層內部壓力為非負壓狀態，并使氣體處于流動狀態帶走熱量，達到熱處理裝置快速升降溫的效果，實現降低熱處理裝置升溫/保溫能耗的目的。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京七星華創電子股份有限公司;
- 發明人孫少東;周厲穎;王麗榮;
- 地址100016 北京市朝陽區酒仙橋東路1號
- 申請號CN201410058339.7
- 申請時間2014年02月20日
- 申請公布號CN103774237B
- 申請公布時間2016年09月07日
- 分類號H01L21/324(2006.01)I;
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