摘要:本發明涉及半導體處理裝置,公開了一熱處理裝置,包括加熱層及夾層,夾層環繞待加熱樣品以形成加熱腔,加熱層設置在加熱腔內,用于加熱待加熱樣品,夾層內部中空,以允許外界氣體進入所述夾層。本發明通過在熱處理裝置中設置一內部中空的夾層,并控制夾層內部氣體壓力,當熱處理裝置升溫并至保溫階段,控制夾層內部氣體壓力為負壓,減小熱傳遞及熱對流帶來的熱損失,使熱處理裝置內部溫度快速到達工藝溫度,到達工藝溫度進行保溫時,能降低維持工藝溫度的能耗;當熱處理裝置降溫時,控制夾層內部壓力為非負壓狀態,并使氣體處于流動狀態帶走熱量,達到熱處理裝置快速升降溫的效果,實現降低熱處理裝置升溫/保溫能耗的目的。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京七星華創電子股份有限公司;
- 發明人孫少東;周厲穎;王麗榮;
- 地址100016 北京市朝陽區酒仙橋東路1號
- 申請號CN201410058339.7
- 申請時間2014年02月20日
- 申請公布號CN103774237B
- 申請公布時間2016年09月07日
- 分類號H01L21/324(2006.01)I;