摘要：本發明公開了一種半導體晶片熱處理設備及方法，涉及半導體晶片工藝技術領域，該熱處理設備包括：加熱器、工藝管、密封板、進氣管、排氣管、氣體采集單元和氧氣含量測量單元，工藝管的管口垂直向下，工藝管部分置于加熱器中，工藝管的管口外沿處設置有法蘭，密封板通過法蘭與工藝管連接，排氣管的入口設于工藝管的側壁鄰近管口處，進氣管的出口設于工藝管上與管口相對的一端，氣體采集單元與排氣管的出口連接，氧氣含量測量單元與氣體采集單元連接。本發明通過設置氣體采集單元和氧氣含量測量單元，精確地測量熱處理設備的反應腔室內部氧氣含量，直至反應內部氧氣含量低于一定閾值后，再進行熱處理工藝，以保證硅晶片的生產質量。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京七星華創電子股份有限公司;
- 發明人趙燕平;董金衛;鐘華;趙星梅;
- 地址100016 北京市朝陽區酒仙橋東路1號M2號樓2層
- 申請號CN201110272055.4
- 申請時間2011年09月14日
- 申請公布號CN102881615B
- 申請公布時間2015年05月27日
- 分類號H01L21/67(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;
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