摘要：本發明公開了一種反應腔室的密封裝置及方法，涉及半導體生產裝置技術領域，所述裝置包括工藝管(1)、工藝板(2)、密封氣體供應單元(6)和氣壓控制單元(5)。本發明通過設置氣壓控制單元通過調節凹槽內密封氣體的壓力，以實現所述反應腔室內工藝氣體的壓力與所述凹槽內密封氣體的壓力平衡，從而保證所述反應腔室內工藝氣體不會泄露出來，同時也控制所述凹槽內密封氣體的壓力大于外界氣體的壓力，防止外部氣體進入所述凹槽，解決了在高溫的處理工藝中對反應腔室進行有效的密封的問題。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京七星華創電子股份有限公司;
- 發明人董金衛;趙燕平;盧言曉;孫少東;
- 地址100016 北京市朝陽區酒仙橋東路1號M2號樓2層
- 申請號CN201110164573.4
- 申請時間2011年06月17日
- 申請公布號CN102270566A
- 申請公布時間2011年12月07日
- 分類號H01L21/00(2006.01)I;
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