摘要：本發明公開了一種用于氣態氟化氫刻蝕二氧化硅的刻蝕腔體及其系統，所述系統包括：刻蝕腔體、氣體產生裝置和控制系統，氣體產生裝置用于將產生的刻蝕氣體、氮氣和乙醇氣體進行混合輸入到刻蝕腔體內，所述刻蝕腔體上設有進氣口和出氣口，刻蝕腔體內設有旋轉平臺、加熱器和氣體勻流裝置，進入刻蝕腔體的混合氣體通過氣體勻流裝置進行充分混合，旋轉平臺上放置有待刻蝕的半導體器件，控制系統控制氣體產生裝置產生混合氣體，混合氣體在刻蝕腔體內充分混合，控制系統控制旋轉平臺轉動并控制加熱器進行加熱。
- 專利類型發明專利
- 申請人河北神通光電科技有限公司;
- 發明人龐克儉;江西元;邵蘇予;劉勝偉;
- 地址050227 河北省石家莊市鹿泉經濟開發區昌盛大街21號
- 申請號CN201410354793.7
- 申請時間2014年07月24日
- 申請公布號CN104103561A
- 申請公布時間2014年10月15日
- 分類號H01L21/67(2006.01)I;
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