摘要：本實用新型公開了一種低阻單晶壽命測試儀，該測試儀包括樣品測試臺、主機和示波器，樣品測試臺設置于主機的上面，主機與示波器連接，樣品測試臺底座上設有光源電極臺和測試臺支柱，測試臺支柱底部設置有防滑套，測試臺支柱上部設置有樣品臺懸臂，測試臺支柱與樣品臺懸臂通過鎖緊螺栓鎖定，樣品臺懸臂與樣品臺連接，樣品臺懸臂側部依次設有阻力調節旋鈕、粗調手輪和微調手輪，樣品臺中間設有樣品測量口，光源電極臺中設有兩彈性電極，中間為紅外發光管出光口。本實用新型是一種可以測量電阻率低至0.03Ω·cm的鍺單晶少子壽命的專用測試儀，同樣可以用來測量低阻硅單晶少子壽命，本實用新型將少子壽命測量延伸到低阻10－2Ω·cm。
- 專利類型實用新型
- 申請人廣州市昆德科技有限公司;
- 發明人王昕;王世進;張郁華;
- 地址510640廣東省廣州市天河區五山華南理工大學國家大學科技園(北區)2號樓204室
- 申請號CN200720059959.8
- 申請時間2007年11月23日
- 申請公布號CN201110882Y
- 申請公布時間2008年09月03日
- 分類號G01R31/265(2006.01);
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