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          低阻單晶壽命測試儀

            摘要:本實用新型公開了一種低阻單晶壽命測試儀,該測試儀包括樣品測試臺、主機和示波器,樣品測試臺設置于主機的上面,主機與示波器連接,樣品測試臺底座上設有光源電極臺和測試臺支柱,測試臺支柱底部設置有防滑套,測試臺支柱上部設置有樣品臺懸臂,測試臺支柱與樣品臺懸臂通過鎖緊螺栓鎖定,樣品臺懸臂與樣品臺連接,樣品臺懸臂側部依次設有阻力調節旋鈕、粗調手輪和微調手輪,樣品臺中間設有樣品測量口,光源電極臺中設有兩彈性電極,中間為紅外發光管出光口。本實用新型是一種可以測量電阻率低至0.03Ω·cm的鍺單晶少子壽命的專用測試儀,同樣可以用來測量低阻硅單晶少子壽命,本實用新型將少子壽命測量延伸到低阻10-2Ω·cm。
          • 專利類型實用新型
          • 申請人廣州市昆德科技有限公司;
          • 發明人王昕;王世進;張郁華;
          • 地址510640廣東省廣州市天河區五山華南理工大學國家大學科技園(北區)2號樓204室
          • 申請號CN200720059959.8
          • 申請時間2007年11月23日
          • 申請公布號CN201110882Y
          • 申請公布時間2008年09月03日
          • 分類號G01R31/265(2006.01);
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