摘要：本發明公開了一種推挽MOS管電壓尖峰抑制電路，包括推挽控制單元、功率MOS管驅動單元、推挽升壓功率單元、LC諧振單元和輔助電源單元，推挽升壓功率單元包括第十MOS管至第十四MOS管和推挽變壓器，第十MOS管的漏極和第十一MOS管的漏極均與推挽變壓器的初級線圈的一端連接，第十MOS管的柵極和第十一MOS管的柵極均與功率MOS管驅動單元的一個輸出端連接，LC諧振單元包括漏感和聚丙烯電容，推挽控制單元包括主控芯片，主控芯片的第十三引腳和第十五引腳均連接12V電源。本發明能消除漏感引起的電壓尖峰、提高逆變器的整體性能、減小損耗、提高整機效率、降低逆變器整體成本、使電路的EMC效果更好。
- 專利類型發明專利
- 申請人蘇州邁力電器有限公司;
- 發明人朱海東;
- 地址215151 江蘇省蘇州市高新區滸關分區建林路666號
- 申請號CN201610780667.7
- 申請時間2016年08月31日
- 申請公布號CN106329900A
- 申請公布時間2017年01月11日
- 分類號H02M1/32(2007.01)I;H02M1/44(2007.01)I;H02M7/538(2007.01)I;
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