摘要：本發明公開了一種ZnTe單晶體的制備方法，用于解決現有方法制備的ZnTe單晶體尺寸小的技術問題。技術方案是首先對石英坩堝進行處理，并在石英坩堝內壁上沉積一層碳膜。將單質Zn和Te裝入處理好的石英坩堝中并真空封裝。將真空封裝好的石英坩堝裝入搖擺爐中，使用階梯升溫、搖擺，使融化的單質Zn和Te充分混合，搖擺結束后保溫，之后爐冷至室溫。對上下爐體升溫到預設的目標溫度后進行保溫，后下降石英坩堝進行晶體選晶生長，晶體生長一段時間后，對上下爐體同時同速率降溫，晶體生長結束，降溫退火后關閉電源進行爐冷。本發明通過對長晶爐溫場、降溫速率和石英坩堝下降速率進行控制，在無籽晶條件下制備出了大尺寸ZnTe單晶體。
- 專利類型發明專利
- 申請人西北工業大學;
- 發明人徐亞東;柏偉;姬磊磊;劉航;符旭;劉長友;介萬奇;
- 地址710072 陜西省西安市友誼西路127號
- 申請號CN201510468818.0
- 申請時間2015年08月04日
- 申請公布號CN105063741A
- 申請公布時間2015年11月18日
- 分類號C30B11/00(2006.01)I;C30B29/48(2006.01)I;
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