摘要：本發明公開了一種鑄造單晶硅錠的方法，還公開了一種鑄造單晶硅錠的裝置。本發明采用局部凝固方法得到初始晶核，采用誘導生長和轉向生長和熔化初始晶核的方法得到籽晶，通過逐步擴大凝固區域，使籽晶長大并覆蓋坩堝底部，最后讓籽晶生長轉變為定向凝固，從而制備出錯位密度較低的單晶硅錠。本發明不需要使用長晶棒，便于控制鑄造過程，也不需要籽晶，降低了成本。
- 專利類型發明專利
- 申請人西華大學;
- 發明人金應榮;賀毅;陳寶軍;何知宇;張潔;李翔;龔鵬;蘇敏;金玉山;
- 地址610039 四川省成都市金牛區金周路999號
- 申請號CN201310471418.6
- 申請時間2013年10月10日
- 申請公布號CN103526278B
- 申請公布時間2015年11月04日
- 分類號C30B11/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;
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