摘要：本實用新型涉及一種下降法生長單晶體用的真空石英坩堝，在所述真空石英坩堝內部襯有一個石墨坩堝，所述石墨坩堝的底部與所述真空石英坩堝的底部完全接觸，所述石墨坩堝的外側壁與所述真空石英坩堝的內側壁之間的空隙在0.4mm～0.6mm之間。本加襯真空石英坩堝不需要較復雜的工藝控制即可制造完成，在使用過程中石墨坩堝與晶體不粘連，晶體不碎裂，坩堝可多次重復使用，適用于生長大尺寸的單晶體。
- 專利類型實用新型
- 申請人北京濱松光子技術股份有限公司;
- 發明人張紅武;黃朝恩;
- 地址100070北京市豐臺區南四環西路188號11區18號樓
- 申請號CN200920106747.X
- 申請時間2009年04月08日
- 申請公布號CN201428006Y
- 申請公布時間2010年03月24日
- 分類號C30B11/00(2006.01)I;
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